| NO.1微波系統 (標配進口6KW微波電源) | |
| 微波頻率 | 2.45GHz |
| 微波輸出功率 | 最大6kw，連續調節 |
| 功率波動性 | ≤±10w |
| 三銷釘調諧器 | 手動三銷釘 |
| 微波泄漏 | 微波泄漏<<0.5mw/cm2@5cm |
| 參數監控 | 擁有完善的微波電源狀態監控系統：輸出功率、 反射功率、水溫、水流量、濕度、內部和環境溫度、高壓監控等 |
| NO.2 反應腔及生長基臺 | |
| 反應腔類型 | 碟形腔式，實現更大的沉積面積與良好的等離子體均勻性 |
| 觀察窗口 (測溫窗口) | 7個觀察窗(其中1個用于測溫) |
| 生長基臺直徑 | 水冷式 |
| 鉬臺直徑 | 建議Φ50mm-70mm，根據客戶工藝變化 |
| 鉬臺/生長基臺間壓力調控 | 自動壓力控制，調節范圍5Torr~腔壓，該功能旨在調控晶種片生長溫度 |
| NO.3控制系統 | |
| 集成化全自動生長控制系統，品牌主機，高度的穩定性與可靠性，全面的數據監控系統及歷史數據回溯功能，多重聯鎖保護與故障報警功能，工藝配方加密功能 | |
| NO.4 真空系統 | |
| 工作壓力范圍 | 工作壓力范圍10~220Torr，自動壓力控制 |
| 真空泵 | 24m3/h（50Hz） 高抽速，雙級旋片式真空泵（標配安全閥防逆流） |
| 系統真空漏率 | ＜5x10-1?Pa*m3/s （氨質譜檢漏儀測試） |
| 極限真空度 | <0.5Pa(標配雙級旋片式真空泵) ，選配分子泵可達7×10-3 Pa |
| NO.5 氣路系統 | |
| 標配五路進口MFC，預留拓展1路 | |
| 進口半導體級氣路管道、閥門、控制系統 | |
| NO.6 測溫儀 | |
| 高精度光纖式紅外測溫儀：450~1400 攝氏度 | |
| NO.7 供電、冷卻系統 | |
| 腔體、微波頭、微波電源、沉積臺等累計冷卻水流量≥22L/Min； 供水水壓0.5~0.6Mpa；水溫20~25°C；實現所有水路的水流量、溫度實時監測 | |
| 供電要求：AC 400V±10%，三相五線制，50Hz | |
| 功耗：滿功率工況，整機功耗約10.8Kw | |
| NO.8 系統尺寸 | |
| 電氣柜: 1m(長) x 0.7m（寬）x 2.1m（高）、腔體柜：0.9m(長) x 1m（寬）x 1.5m(高) | |
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